外生僑生獎學金

一、申請對象

• 114-1學期（含）以前已修畢半導體相關課程達21學分之境外學士或碩士學位生，以及來校雙聯學位學士或碩士層級之學生。
• 114-1學期學業成績達GPA 2.44，且操行成績達87分以上。
• 不限科系，惟修讀半導體或理工相關科系者優先考慮。

二、申請時間

1. 第一階段：2026年3月23日至4月10日。
2. 第二階段：僅限第一階段獲獎者方可申請，預計於5月開放收件。

三、申請方式與應備資料

1. 第一階段應備文件：
   • 申請表（須親筆簽名）
   • 歷年成績單正本
   • 114-1學期獎懲暨操行轉換證明書
   • 系所師長推薦信1封（依公告格式填寫，彌封後繳交）
   • 「半導體製程」相關課程之期末報告或成果報告一份
   • 有效居留證影本
   • 本人存摺封面影本

「半導體製程」相關課程包含：半導體製程、半導體製程技術、半導體製程概論。
 半導體相關課程請參閱：科目對照表

請於2026年4月10日前，將上述資料紙本繳交至國際事務處。

2. 第二階段應備文件：
   • 兩年內有效之TOCFL B2（含）以上聽讀能力測驗證書影本
   • 台積公司DNA實習計畫申請證明(TSMC DNA Internship)

請於2026年5月31日前，將上述資料以電子郵件寄至 gladys@ntnu.edu.tw。

四、審核與發放

• 由國際事務處審查小組依相關規定進行審查，核定結果於5月公告，並於6月核發。
• 第一階段獲獎者，核發獎助學金新臺幣70,000元。
• 第二階段也提出申請且符合資格者，另再核發獎助學金新臺幣20,000元。

五、注意事項

• 預計於本學期畢業之學生，如欲申請本獎項，請留意：如於獎項核發前已辦理離校手續，將視為自動放棄領獎資格。
• 申請人務必確認文件齊全；如有提供不實資料或偽造文件之情事，將取消申請資格，並追回已核發之獎助學金。
• 本獎助學金不得與臺歐半導體獎助學金重複領取。
• 文件格式不符者視為缺件，恕不通知補件，亦不說明落選原因。